鑒別可控硅模塊三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據P-N結的原理，只要用萬(wàn)用表測量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。下面正高教你判斷可控硅模塊的好壞。
陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）。
控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說(shuō)明元件已損壞。 

可控硅模塊分單向可控硅模塊和雙向可控硅模塊兩種，都是三個(gè)電極。單向可控硅模塊有陰極（K）、陽(yáng)極（A）、控制極（G）。雙向可控硅模塊等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連，其引出端稱(chēng)T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱(chēng)T2極，剩下則為控制極（G）。

1、單、雙向可控硅模塊的判別：先任測兩個(gè)極，若正、反測指針均不動(dòng)（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅模塊。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅模塊。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T(mén)1極，余下是T2極。 
2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅模塊，紅筆接K極，黑筆同時(shí)接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開(kāi)G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅模塊已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時(shí)斷開(kāi)A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅模塊良好。 
對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時(shí)接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開(kāi)G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠(chǎng)家不同而異）。然后將兩筆對調，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅模塊良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。 
若保持接通A極或T2極時(shí)斷開(kāi)G極，指針立即退回∞位置，則說(shuō)明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進(jìn)一步測量，對于單向可控硅模塊，閉合開(kāi)關(guān)K，燈應發(fā)亮，斷開(kāi)K燈仍不息滅，否則說(shuō)明可控硅模塊損壞。
對于雙向可控硅模塊，閉合開(kāi)關(guān)K，燈應發(fā)亮，斷開(kāi)K，燈應不息滅。然后將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說(shuō)明是好的。否則說(shuō)明該器件已損壞。

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