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公司介紹：

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1、UVLED發(fā)光機理：PN結的端電壓構成一定勢壘，當加正向偏置電壓時(shí)勢壘下降，P區和N區的多數載流子向對方擴散。由于電子遷移率比空穴遷移率大得多，所以會(huì )出現大量電子向P區擴散，構成對P區少數載流子的注入。這些電子與價(jià)帶上的空穴復合，復合時(shí)得到的能量以光能的形式釋放出去。這就是PN結發(fā)光的原理。

2、UVLED電氣特性：電流控制型器件，負載特性類(lèi)似PN結的UI曲線(xiàn)，正向導通電壓的極小變化會(huì )引起正向電流的很大變化（**級別），反向漏電流很小，有反向擊穿電壓。在實(shí)際使用中，應選擇 。UVLED正向電壓隨溫度升高而變小，具有負溫度系數。UVLED消耗功率 ，一部分轉化為光能，這是我們需要的。剩下的就轉化為熱能，使結溫升高。散發(fā)的熱量（功率）可表示為 。

3、UVLED發(fā)光效率：一般稱(chēng)為組件的外部量子效率，其為組件的內部量子效率與組件的取出效率的乘積。所謂組件的內部量子效率，其實(shí)就是組件本身的電光轉換效率，主要與組件本身的特性（如組件材料的能帶、缺點(diǎn)、雜質(zhì)）、組件的壘晶組成及結構等相關(guān)。而組件的取出效率則指的是組件內部產(chǎn)生的光子，在經(jīng)過(guò)組件本身的吸收、折射、反射后，實(shí)際在組件外部可測量到的光子數目。因此，關(guān)于取出效率的因素包括了組件材料本身的吸收、組件的幾何結構、組件及封裝材料的折射率差及組件結構的散射特性等。而組件的內部量子效率與組件的取出效率的乘積，就是整個(gè)組件的發(fā)光效果，也就是組件的外部量子效率。早期組件發(fā)展集中在提高其內部量子效率，主要方法是通過(guò)提高壘晶的質(zhì)量及改變壘晶的結構，使電能不易轉換成熱能，進(jìn)而間接提高UVLED的發(fā)光效率，從而可獲得70%左右的理論內部量子效率，但是這樣的內部量子效率幾乎已經(jīng)接近理論上的極限。在這樣的狀況下，光靠提高組件的內部量子效率是不可能提高組件的總光量的，因此提高組件的取出效率便成為重要的研究課題?，F在的方法主要是：晶粒外型的改變——TIP結構，表面粗化技術(shù)。

4、UVLED熱學(xué)特性：小電流下，LED溫升不明顯。若環(huán)境溫度較高，UVLED的主波長(cháng)就會(huì )紅移，亮度會(huì )下降，發(fā)光均勻性、一致性變差。尤其點(diǎn)陣、大顯示屏的溫升對LED的可靠性、穩定性影響更為***。所以散熱設計很關(guān)鍵。

5、UVLED光學(xué)特性：UVLED提供的是半寬度很大的單色光，由于半導體的能隙隨溫度的上升而減小，因此它所發(fā)射的峰值波長(cháng)隨溫度的上升而增長(cháng)，即光譜紅移，溫度系數為+2~3A/ 。UVLED發(fā)光亮度L與正向電流。電流增大，發(fā)光亮度也近似增大。另外發(fā)光亮度也與環(huán)境溫度有關(guān)，環(huán)境溫度高時(shí)，復合效率下降，發(fā)光強度減小。

6、UVLED壽命：UVLED的長(cháng)時(shí)間工作會(huì )光衰引起老化，尤其對大功率UVLED來(lái)說(shuō)，光衰問(wèn)題更加嚴重。在衡量UVLED的壽命時(shí)，**以燈的損壞來(lái)作為UVLED壽命的終點(diǎn)是遠遠不夠的，應該以UVLED的光衰減百分比來(lái)規定LED的壽命，比如35%，這樣更有意義。

7、大功率UVLED封裝：主要考慮散熱和出光。散熱方面，用銅基熱襯，再連接到鋁基散熱器上，晶粒與熱襯之間以錫片焊作為連接，這種散熱方式效果較好，性?xún)r(jià)比較高。出光方面，采用芯片倒裝技術(shù)，并在底面和側面增加反射面反射出浪費的光能，這樣可以獲得更多的有消出光。